RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3277
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link