RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1633
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link