RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1633
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link