RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2138
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link