RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
62
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2138
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link