RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
62
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2138
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link