RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 51

Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.7 9.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.8 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 8500

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 2248

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns