RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2248
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link