RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3910
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link