RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3110
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link