RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3110
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link