RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
66
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2038
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link