RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
66
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
66
Velocità di lettura, GB/s
15.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2038
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link