RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
66
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2038
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link