RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2909
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link