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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 14.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 35
    En -21% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 14.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 2909

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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