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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
14.2
写入速度,GB/s
9.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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