Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 39
    Rund um -5% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.7 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 13.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1749 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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