RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3170
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link