RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
39
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3020
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link