RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
4.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1046
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link