Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 46

Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.9 4.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.2 4.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 10600

Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1046 2942

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns