RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
4.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
4.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
4.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1046
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link