RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3020
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link