RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2594
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link