RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
56
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2556
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link