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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
56
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
45
读取速度,GB/s
4,387.7
14.7
写入速度,GB/s
1,813.5
11.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2556
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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