RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
56
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3443
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link