RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
56
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2579
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link