RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
56
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2579
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link