RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
56
Rund um -180% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3359
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link