RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
56
Intorno -180% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
20
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3359
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link