RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
56
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3401
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link