RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
56
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2545
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link