RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
56
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
23
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2545
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link