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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3299
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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