RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
56
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2581
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link