RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
56
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2581
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link