RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
56
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2608
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link