RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2608
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link