RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
18.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
4128
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link