RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
52
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2865
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link