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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
52
周辺 -79% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
14900
周辺 1.29 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
29
読み出し速度、GB/s
9.7
15.8
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.2
メモリ帯域幅、mbps
14900
19200
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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