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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
52
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.2
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2865
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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