RAM-Vergleich Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 37

Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.9 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 7.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 14200

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2272 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns