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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14200
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
17000
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
1949
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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