Comparaison de la RAM Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Note globale

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 37

Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

10.9 9.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.1 7.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 14200

Autour de 1.2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2272 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns