RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3367
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link