RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3367
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link