RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3367
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link