RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2760
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link